是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, BGA90,9X15,32 | 针数: | 90 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B90 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 134217728 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 90 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX32 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA90,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.00001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IS42LS32400AL-10BL | ISSI | Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90 |
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IS42LS32400AL-10T | ISSI | Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86 |
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IS42LS32400AL-7B | ISSI | Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 |
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IS42LS32400AL-7BI | ISSI | Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 |
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IS42LS32400AL-7TI | ISSI | Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, TSOP2-86 |
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IS42LS32400AL-7TL | ISSI | Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, LEAD FREE, TSOP2-86 |
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