2N6833

更新时间： 2024-02-03 23:42:43

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	185K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2N6833 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	450 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6833 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2N6833

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 450V(Min)

·High Switching Speed

APPLICATIONS

·Designed for high-voltage ,high-speed, power switching in

inductive circuits where fall time is critical. They are partic-

ularly suited for line operated switch-mode applications.

Typical applications:

·Switching regulators

·Inverters

·Solenoid and relay drivers

·Motor controls

·Deflection circuits

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

V_CEV

Collector-Emitter Voltage

850

V_CEO(SUS)Collector-Emitter Voltage

450

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

Base Current-Peak

I_BM

P_C

T_J

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

℃

150

-65~150

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.56

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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