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2N6753

更新时间: 2024-01-05 18:04:45
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页数 文件大小 规格书
3页 131K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2N6753 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:500 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):8JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHzBase Number Matches:1

2N6753 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2N6753 2N6754  
DESCRIPTION  
·With TO-3 package  
·High breakdown voltage  
·Low saturation voltage  
·Fast switching speed  
APPLICATIONS  
·Off-line power supplies  
·High-voltage inverters  
·Switching regulators  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol  
3
Collector  
Absolute maximum ratings(Ta=)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
900  
UNIT  
2N6753  
2N6754  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
V
1000  
500  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open base  
V
V
Open collector  
8
10  
A
IB  
Base current  
5
A
PD  
Total Power Dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
150  
W
Tj  
-65~175  
-65~200  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
UNIT  
Rth j-c  
Thermal resistance junction to case  
1.0  
/W  

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