2N6360

更新时间： 2024-01-03 19:06:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6360 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.88
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON

2N6360 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6360

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High DC current gain

·Excellent safe operating area

APPLICATIONS

·Designed for high power applications

and switching circuits such as relay

or solenoid drivers, dc to dc converters

or inverters.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

120

100

UNIT

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_D

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

-65~200

℃

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.17

℃/W

12 3

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