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2N6358

更新时间: 2024-02-11 17:28:39
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 41K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2N6358 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-204AA包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.91
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):1500
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON

2N6358 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
2N6358  
DESCRIPTION  
·With TO-3 package  
·High DC current gain  
·DARLINGTON  
APPLICATIONS  
·For general-purpose amplifier and  
low-frequency switching applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol  
3
Collector  
Absolute maximum ratings(Ta=)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
80  
UNIT  
V
Open base  
60  
V
Open collector  
5
V
20  
A
IB  
Base current  
0.5  
A
PD  
Total Power Dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
150  
200  
-65~200  
W
Tj  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
UNIT  
Rth j-c  
Thermal resistance junction to case  
1.09  
/W  

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