2N6326

更新时间： 2024-02-02 06:37:51

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3页	118K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6326 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	30 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	6	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	114 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2N6326 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6326 2N6327 2N6328

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High DC current gain

APPLICATIONS

·Designed for audio amplifier and

switching circuits applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N6326

2N6327

2N6328

2N6326

2N6327

2N6328

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

100

V_CEO

Collector-emitter voltage

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_B

Base current

7.5

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

0.875

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N6328	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格