2N6264

更新时间： 2024-02-01 20:24:05

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	129K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6264 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-213AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
Base Number Matches：	1

2N6264 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N6263 2N6264

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·High breakdown voltage

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·A wide variety of medium-to-high power,

high-voltage applications

·Series and shunt regulators

·High-fidelity amplifiers

·Power switching circuits

·Solenoid drivers

PINNING (See Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

140

170

120

150

UNIT

2N6263

2N6264

2N6263

2N6264

V_CBO

Collector-base voltage

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-base voltage

Collector current

Collector current-peak

Base current

Open collector

2N6263

2N6264

P_T

Total power dissipation

T_C=25℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

8.75

3.5

UNIT

2N6263

2N6264

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

℃/W

12 3

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