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2N6227

更新时间: 2024-02-18 07:44:52
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页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2N6227 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6227 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2N6226 2N6227 2N6228  
DESCRIPTION  
·With TO-3 package  
·Low collector saturation voltage  
·Excellent safe operating area  
APPLICATIONS  
·For high power audio;stepping motor  
and other linear applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol  
3
Collector  
Absolute maximum ratings(Ta=)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VAL
-100  
-120  
-140  
-100  
-120  
-140  
-7  
UNIT  
2N6226  
2N6227  
2N6228  
2N6226  
2N6227  
2N6228  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
V
VCEO  
Collector-emitter voltage  
Open base  
Open collector  
TC=25  
V
VEBO  
IC  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
A
-6  
PD  
Tj  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
W
150  
Tstg  
-65~200  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
VALUE  
UNIT  
Rth j-c  
Thermal resistance junction to case  
0.92  
/W  

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