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2N6134

更新时间: 2024-02-15 01:17:37
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 119K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2N6134 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.31
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):7 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2.5 MHz
Base Number Matches:1

2N6134 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2N6132 2N6133 2N6134  
DESCRIPTION  
·With TO-220 package  
·High power dissipation  
·Complement to NPN type :  
2N6129 2N6130 2N6131  
APPLICATIONS  
·Power amplifier and medium speed  
switching applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Emitter  
Collector;connected to  
mounting base  
2
Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol  
3
Base  
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VAL
-40  
UNIT  
2N6132  
2N6133  
2N6134  
2N6132  
2N6133  
2N6134  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
Open base  
V
-60  
-80  
-40  
VCEO  
Collector-emitter voltage  
V
-60  
-80  
VEBO  
IC  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open collector  
-5  
V
A
-7  
IB  
Base current  
-3  
A
PT  
Tj  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
50  
W
150  
-65~150  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Rth j-c  
Thermal resistance from junction to case  
2.5  
/W  

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