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2N6132

更新时间: 2024-01-17 08:25:40
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页数 文件大小 规格书
3页 119K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2N6132 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.66Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):7 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):50 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):2.5 MHzBase Number Matches:1

2N6132 数据手册

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Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2N6132 2N6133 2N6134  
DESCRIPTION  
·With TO-220 package  
·High power dissipation  
·Complement to NPN type :  
2N6129 2N6130 2N6131  
APPLICATIONS  
·Power amplifier and medium speed  
switching applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Emitter  
Collector;connected to  
mounting base  
2
Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol  
3
Base  
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VAL
-40  
UNIT  
2N6132  
2N6133  
2N6134  
2N6132  
2N6133  
2N6134  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
Open base  
V
-60  
-80  
-40  
VCEO  
Collector-emitter voltage  
V
-60  
-80  
VEBO  
IC  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open collector  
-5  
V
A
-7  
IB  
Base current  
-3  
A
PT  
Tj  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
50  
W
150  
-65~150  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Rth j-c  
Thermal resistance from junction to case  
2.5  
/W  

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