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2N6110

更新时间: 2024-01-29 12:44:45
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 122K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2N6110 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.64
最大集电极电流 (IC):7 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):40 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):10 MHzBase Number Matches:1

2N6110 数据手册

 浏览型号2N6110的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6110的Datasheet PDF文件第3页 
Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2N6106 2N6108 2N6110  
DESCRIPTION  
·With TO-220 package  
·With short pin  
APPLICATIONS  
·Power amplifier and switching  
circuits applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Emitter  
Collector;connected to  
mounting base  
2
Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol  
3
Base  
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
-4
UNIT  
2N6106  
2N6108  
2N6110  
2N6106  
2N6108  
2N6110  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
Open base  
V
-60  
-80  
-30  
VCEO  
Collector-emitter voltage  
V
-50  
-70  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open collector  
-5  
V
A
-7  
Collector current-peak  
Base current  
-10  
A
-3  
A
PT  
Tj  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
40  
W
150  
-65~150  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
Thermal resistance from junction to case  
MAX  
UNIT  
Rth j-c  
3.125  
/W  

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