2N5874

更新时间： 2024-02-06 04:08:53

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5874 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N5874 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5873 2N5874

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For medium-speed switching and

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5873

2N5874

2N5873

2N5874

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

P_D

T_j

Total Power Dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

115

150

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.17

℃/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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