2N5840

更新时间： 2024-01-10 05:59:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	117K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5840 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	350 V
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5840 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5838 2N5839 2N5840

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High breakdown voltage

APPLICATIONS

·For use in switching power supply and

other inductive switching circuits.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

275

300

375

250

275

350

UNIT

2N5838

2N5839

2N5840

2N5838

2N5839

2N5840

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25℃

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

150

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

1.25

℃/W

12 3

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