2N5600

更新时间： 2024-01-06 01:48:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	128K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5600 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.31
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2N5600 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5598 2N5600 2N5602 2N5604

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For high frequency power amplifier ;

audio power amplifier and drivers.

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5598

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

2N5600/5602

2N5604

100

120

2N5598

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25℃

2N5600/5602

2N5604

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

℃

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

4.37

℃/W

12 3

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