2N3055H

更新时间： 2024-02-18 09:09:28

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isc Silicon NPN Power Transistor

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2N3055H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz	Base Number Matches：	1

2N3055H 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2N3055H

DESCRIPTION

·Excellent Safe Operating Area

·DC Current Gain-h_FE=20-70@I_C= 4A

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.1 V(Max)@ I_C= 4A

APPLICATIONS

·Designed for general-purpose switching and amplifier

Applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

100

UNIT

100

Collector Current-Continuous

Base Current

I_B

P_C

Collector Power Dissipation@T_C=25℃

Junction Temperature

115

200

-65~200

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.52

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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