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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRL2505PBF
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IRL2505PBF

更新时间： 2024-02-15 22:27:00
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 220K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRL2505PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK , 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.05其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：104 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRL2505PBF 数据手册

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PD-95622  
IRL2505PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 55V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 0.008Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
ID = 104Aꢀ  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Thisbenefit, combinedwith  
thefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthat  
HEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthe  
designer with an extremelyefficient and reliable device for  
use in a wide variety of applications.  
The TO-220 is universally preferred for all commercial-  
Industrial applications at power dissipation levels to  
approximately 50 watts. The low thermal resistance and  
low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
104ꢀ  
74  
A
360  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 16  
500  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current   
mJ  
A
54  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
20  
mJ  
V/ns  
5.0  
55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
0.75  
–––  
62  
RθCS  
RθJA  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Juction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
8/3/04  
12345678

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