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IRFR3710ZHR

更新时间： 2024-02-07 12:58:33

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
12页	381K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3/2

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IRFR3710ZHR 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFR3710ZHR 数据手册

PD - 95513C

IRFR3710ZPbF

IRFU3710ZPbF

AUTOMOTIVE MOSFET

IRFU3710Z-701PbF

Features

HEXFET^®Power MOSFET

Advanced Process Technology

UltraLowOn-Resistance

175°COperatingTemperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Multiple Package Options

Lead-Free

V_DSS= 100V

R_DS(on)= 18mΩ

I_D= 42A

Description

Specifically designed for Automotive applications,

this HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest

processingtechniquestoachieveextremelylowon-

resistance per silicon area. Additional features of

thisdesign area175°Cjunctionoperatingtemperature,

fast switching speed and improved repetitive

avalanche rating . These features combine to make

thisdesignanextremelyefficientandreliabledevice

foruseinAutomotiveapplicationsandawidevariety

of other applications.

D-Pak

IRFR3710ZPbF

I-Pak

IRFU3710ZPbF

I-Pak Leadform 701

IRFU3710Z-701PbF

Refer to page 11 for package outline

Absolute Maximum Ratings

Max.

Parameter

Units

(Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

@ T = 25°C

@ T = 100°C

(Package Limited)

@ T = 25°C

220

140

@T = 25°C Power Dissipation

W/°C

0.95

Linear Derating Factor

± 20

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

E_{AS (Thermally limited)}

_AS(Tested )

150

200

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

E_AR

Repetitive Avalanche Energy

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

STG

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.05

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB mount)

Junction-to-Ambient

°C/W

110

HEXFET^®is a registered trademark of International Rectifier.

www.irf.com

06/08/09

12 3 4 5 6 7...12

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与IRFR3710ZHR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFR3710ZPBF	INFINEON	AUTOMOTIVE MOSFET	获取价格
IRFR3710ZPBF	KERSEMI	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFR3710ZTR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRFR3710ZTRL	KERSEMI	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFR3710ZTRLPBF	INFINEON	HEXFETÂ® Power MOSFET	获取价格
IRFR3710ZTRPBF	INFINEON	Advanced Process Technology	获取价格

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