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IRFHM8329TRPBF

更新时间： 2024-01-31 02:30:24
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 636K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRFHM8329TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：QFN-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.36
雪崩能效等级（Eas）：43 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.0061 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：230 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFHM8329TRPBF 数据手册

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IRFHM8329PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
30  
V
V
VGS max  
±20  
RDS(on) max  
(@ VGS = 10V)  
6.1  
G
m  
S
S
S
(@ VGS = 4.5V)  
8.8  
D
Qg (typical)  
13  
nC  
A
D
D
D
D
ID  
24  
(@TC (Bottom) = 25°C)  
Applications  
Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application  
System/Load Switch  
Synchronous MOSFET for Buck Converters  
Features  
Benefits  
Low Thermal Resistance to PCB (<3.8°C/W)  
Low Profile (<1.05 mm)  
Enable better thermal dissipation  
Increased Power Density  
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
Industry-Standard Pinout  
results in  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
MSL1, Consumer Qualification  
  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
Base part number  
Package Type  
Standard Pack  
Orderable Part Number  
Form  
Tape and Reel  
Quantity  
4000  
IRFHM8329PbF  
PQFN 3.3 mm x 3.3 mm  
IRFHM8329TRPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Gate-to-Source Voltage  
Max.  
± 20  
16  
Units  
VGS  
V
A
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
ID @ TC(Bottom) = 25°C  
ID @ TC(Bottom) = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
13  
57  
36  
24  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding  
Technology Limited)  
IDM  
Pulsed Drain Current   
Power Dissipation   
230  
2.6  
PD @TA = 25°C  
PD @TC(Bottom) = 25°C  
W
Power Dissipation   
33  
Linear Derating Factor   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
0.021  
W/°C  
°C  
TJ  
-55 to + 150  
TSTG  
Notes through are on page 9  
1
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
June 5, 2014  
1234567...9

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