IRFB42N20D

更新时间： 2024-02-07 16:05:33

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
6页	70K
描述
High frequency DC-DC converters

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFB42N20D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.1
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	42.6 A
最大漏极电流 (ID)：	44 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	250
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFB42N20D 数据手册

PD - 94114

PROVISIONAL

IRFB42N20D

IRFS42N20D

IRFSL42N20D

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

V_DSS

200V

R_DS(on)max

I_D

42.6A

0.055Ω

Benefits

l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D²Pak

IRFS42N20D

TO-262

IRFSL42N20D

TO-220AB

IRFB42N20D

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

42.6

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

170

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

3.8

Power Dissipation

300

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

TBD

-55 to + 175

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

V/ns

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

260 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Typical SMPS Topologies

l Telecom 48V input DC-DC Active Clamp Reset Forward Converter

Notes through are on page 6

www.irf.com

03/05/01

12 3 4 5 6

下载PDF

与IRFB42N20D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFB42N20DPBF	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFB4310	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFB4310	FREESCALE	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFB4310GPBF	INFINEON	HEXFETPower MOSFET	获取价格
IRFB4310HR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRFB4310PBF	INFINEON	HEXFET㈢Power MOSFET	获取价格