是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.68 | 标称电路换相断开时间: | 110 µs |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 100 mA |
最大直流栅极触发电压: | 2 V | 最大维持电流: | 150 mA |
JEDEC-95代码: | TO-209AC | JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 140 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 172 A |
重复峰值关态漏电流最大值: | 20000 µA | 断态重复峰值电压: | 400 V |
重复峰值反向电压: | 400 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
112RKI40S90PBF | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC |
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112RKI60 | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 172A I(T)RMS, 110000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
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112RKI60 | VISHAY | Silicon Controlled Rectifier, 172 A, 600 V, SCR, TO-209AC |
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112RKI60M | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110000mA I(T), 600V V(DRM) |
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112RKI80 | INFINEON | PHASE CONTROL THYRISTORS Stud Version |
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112RKI80M | INFINEON | Silicon Controlled Rectifier, 110000mA I(T), 800V V(DRM) |
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