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111RKI80M

更新时间: 2024-01-29 14:51:52
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
7页 177K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110000mA I(T), 800V V(DRM)

111RKI80M 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-CUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
Factory Lead Time:18 weeks风险等级:5.2
标称电路换相断开时间:110 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us最大直流栅极触发电流:120 mA
最大直流栅极触发电压:2 V最大维持电流:200 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-CUPM-H3
最大漏电流:20 mA通态非重复峰值电流:2180 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:110000 A最高工作温度:140 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:172 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

111RKI80M 数据手册

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Index  
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/B  
111RKISERIES  
PHASE CONTROL THYRISTORS  
Stud Version  
Features  
110A  
High current and high surge ratings  
dv/dt = 1000V/µs option  
Ceramic housing  
Threaded studs UNF 1/2 - 20UNF2A  
Types up to 1200V VRRM/VDRM  
di/dt = 300A/µs  
Typical Applications  
DC motor controls  
Controlled DC power supplies  
AC controllers  
Major Ratings and Characteristics  
Parameters  
IT(AV)  
111RKI  
Units  
110  
90  
A
°C  
@ TC  
IT(RMS)  
ITSM  
172  
A
@ 50Hz  
@ 60Hz  
@ 50Hz  
@ 60Hz  
2080  
2180  
21.7  
19.8  
A
A
I2t  
KA2s  
KA2s  
V
DRM/VRRM  
400 to 1200  
110  
V
case style  
t
typical  
µs  
q
TO-209AC (TO-94)  
TJ  
- 40 to 140  
°C  
To Order  
 
 

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