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110RIA20M

更新时间: 2024-01-09 16:25:15
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英飞凌 - INFINEON 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 83K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 110000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

110RIA20M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.75配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:400 V/us最大直流栅极触发电流:150 mA
最大直流栅极触发电压:3 VJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3湿度敏感等级:1
通态非重复峰值电流:2300 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:110000 A
最高工作温度:125 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:175 A断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

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