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3N190

更新时间: 2024-02-23 18:45:56
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英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管输入元件放大器
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2页 79K
描述
DUAL P CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

3N190 技术参数

生命周期:Active包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-X7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.7
外壳连接:SUBSTRATE配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (ID):0.05 A
最大漏源导通电阻:300 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):1 pFJESD-30 代码:R-XUUC-X7
元件数量:2端子数量:7
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:UNCASED CHIP
极性/信道类型:P-CHANNEL端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

3N190 数据手册

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