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2N5118

更新时间： 2024-02-23 10:30:12

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英特矽尔 - INTERSIL		/
页数	文件大小	规格书
2页	69K
描述
DIELECTRICALLY ISOLATED DUAL PNP GENERAL PURPOSE AMPLLIFIER

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2N5118 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	0.01 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5118 数据手册

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与2N5118相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5119	INTERSIL	DIELECTRICALLY ISOLATED DUAL PNP GENERAL PURPOSE AMPLLIFIER	获取价格
2N5119	DIGITRON	TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,10MA I(C),TO-78	获取价格
2N511A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-41VAR	获取价格
2N511B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-41VAR	获取价格
2N512	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-41VAR	获取价格
2N5120	ETC	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS	获取价格

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