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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2 pF | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.325 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.325 W |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N4339G-1 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A |
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| 2N4339G-2 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206A |
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| 2N4340 | INTERFET | N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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| 2N4340 | INTERSIL | N-CHANNEL JFET |
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| 2N4340 | CENTRAL | Junction FETs Low Frequency/ Low Noise |
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| 2N4340 | CALOGIC | N-Channel JFET Low Noise Amplifier |
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