2N5020

更新时间： 2024-02-17 14:53:26

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INTERFET		晶体小信号场效应晶体管
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1页	93K
描述
P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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2N5020 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	7 pF	JEDEC-95代码：	TO-18
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N5020 数据手册

B-18

01/99

2N5020, 2N5021

P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

Absolute maximum ratings at T = 25¡C

¥ Analog Switches

Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage

– 50 V

50 mA

500 mW

Continuous Forward Gate Current

Continuous Device Power Dissipation

Power Derating

4 mW/°C

Storage Temperature Range

– 65°C to + 200°C

At 25°C free air temperature:

Static Electrical Characteristics

2N5020

2N5021

Process PJ32

Test Conditions

I = 1µA, V = ØV

Min Max Min Max Unit

Gate Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

(BR)GDO

= 15V, V = ØV

GSS

Gate Source Cutoff Voltage

Drain Saturation Current (Pulsed)

0.3 1.5 0.5 2.5

= – 15V, I = 1 nA

GS(OFF)

– 0.3 – 1.2 – 1 – 3.5 mA

= – 15V, V = ØV

DSS

Dynamic Electrical Characteristics

Common Source

Forward Transconductance

3.5 1.5

= – 15V, V = ØV

Common Source Output Conductance

Common Source Input Capacitance

µS

= – 15V, V = ØV

f = 1 MHz

iss

Common Source

Reverse Transfer Capacitance

= – 15V, V = ØV

rss

TOÐ18 Package

Dimensions in Inches (mm)

Surface Mount

SMP5020, SMP5021

Pin Configuration

1 Source 1, 2 Gate & Case, 3 Drain

1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042

(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375

www.interfet.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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