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IPI80P04P405AKSA1

更新时间： 2024-02-04 01:52:29

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	212K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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IPI80P04P405AKSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	64 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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Final Data Sheet

IPB80P04P4-05

IPI80P04P4-05, IPP80P04P4-05

OptiMOS^®-P2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

-40

4.9

-80

R _DS(on)(SMD Version)

I _D

Features

• P-channel - Normal Level - Enhancement mode

PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Type

Package

Marking

4P0405

IPB80P04P4-05

IPI80P04P4-05

IPP80P04P4-05

PG-TO263-3-2

PG-TO262-3-1

PG-TO220-3-1

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C,

V _GS=-10V

Continuous drain current¹⁾

I _D

-80

T _C=100°C,

V _GS=-10V²⁾

-80

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _AS

T _C=25°C

-320

I _D=-40A

Avalanche energy, single pulse

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

-80

V _GS

P _tot

±20

T _C=25 °C

Power dissipation

125

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.0

page 1

2011-04-18

12 3 4 5 6 7...9

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