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F0118G

更新时间： 2024-02-11 11:36:48

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英飞凌 - INFINEON		静态存储器光电
页数	文件大小	规格书
7页	65K
描述
Infrared LED, 950nm

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技术参数
数据手册

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F0118G 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最大正向电流：	0.1 A	最大正向电压：	1.55 V
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-40 °C
峰值波长：	950 nm	半导体材料：	GaAlAs
光谱带宽：	5.5e-8 m	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

F0118G 数据手册

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode mit erhöhter Strahlungsleistung (950 nm)

GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, Enhanced Power)

F 0118G

Vorläufige Daten / Preliminary data

Wesentliche Merkmale

Features

• Typ. Gesamtleistung: 20 mW @ 100 mA im

TOPLED^®Gehäuse

• Typ. total radiant power: 20 mW @ 100 mA in

TOPLED^®package

• Chipgröße 300 x 300 µm²

• Chip size 300 x 300 µm²

• Very highly efficient GaAlAs LED

• High reliability

• GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

• Hohe Zuverlässigkeit

• Hohe Impulsbelastbarkeit

• Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

• High pulse handling capability

• Good spectral match to silicon

photodetectors

• Vorderseitenmetallisierung: Aluminium

Rückseitenmetallisierung: Goldlegierung

• Frontside metallization: aluminum

Backside metallization: gold alloy

Anwendungen

Applications

•

IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-

• IR remote control for hifi and TV sets, video

tape recorder, dimmers

und Videogeräten, Lichtdimmern

• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• Remote control for steady and varying

intensity

• Lichtschranken bis 500 kHz

• Sensorik

• Light-reflection switches (max. 500 kHz)

• Sensor technology

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Beschreibung

Description

F 0118G

on request

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss

Infrared emitting die, top side anode connection

2002-02-04

12 3 4 5 6 7

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