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BTS308

更新时间： 2024-01-20 09:12:59
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英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关过载保护局域网
页数 文件大小 规格书
13页 165K
描述
Smart Highside Power Switch (Overload protection Current limitation Short circuit protection Thermal shutdown)

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BTS308 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ZIP, ZIP7,.15,.2TB针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.32
Is Samacsys：N内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
驱动器位数：1接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PZFM-T5功能数量：1
端子数量：5输出电流流向：SOURCE
最大输出电流：1.18 A标称输出峰值电流：1.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：ZIP
封装等效代码：ZIP7,.15,.2TB封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT电源：12/24 V
认证状态：Not Qualified子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：34 V最小供电电压：4.7 V
标称供电电压：24 V表面贴装：NO
技术：MOS端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：1.27 mm端子位置：ZIG-ZAG
断开时间：55 µs接通时间：50 µs
Base Number Matches：1

BTS308 数据手册

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®
PROFET BTS 308  
Smart Highside Power Switch  
Features  
Product Summary  
•
•
•
•
•
•
•
•
Overload protection  
Overvoltage protection  
Vbb(AZ)  
60  
V
Current limitation  
Short circuit protection  
Thermal shutdown  
Overvoltage protection (including load dump)  
Fast demagnetization of inductive loads  
Reverse battery protection  
Undervoltage and overvoltage shutdown with  
auto-restart and hysteresis  
V
4.7 ... 34 V  
Operating voltage  
On-state resistance  
Load current (ISO)  
bb(on)  
R
ON  
300  
1.3  
m
Ω
A
I
L(ISO)  
1
)
TO-220AB/5  
•
•
•
•
•
Open drain diagnostic output  
Open load detection in OFF-state  
CMOS compatible input  
5
5
5
Loss of ground and loss of V protection  
bb  
1
1
Electrostatic discharge (ESD) protection  
Straight leads  
SMD  
Standard  
Application  
•
•
•
•
•
µC compatible power switch with diagnostic feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads  
Most suitable for inductive loads  
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits  
Fast switching  
Not suitable for lamp loads  
General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic  
feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection  
functions.  
+ V  
bb  
3
Vo lta g e  
so urc e  
Ga te  
Ove rvo lta g e  
p ro te c tio n  
Curre nt  
lim it  
p ro te c tio n  
V
Logic  
OUT  
Lim it fo r  
unc la m p e d  
ind . lo a d s  
Cha rg e p um p  
Le ve l shifte r  
Vo lta g e  
se nso r  
5
Te m p e ra ture  
se nso r  
Re c tifie r  
IN  
2
Op e n lo a d  
d e te c tio n  
Load  
Lo g ic  
ESD  
4
ST  
Sho rt c irc uit  
d e te c tio n  
PROFET  
GND  
1
Load GND  
Signal GND  
1)  
With external current limit (e.g. resistor R =150 Ω) in GND connection, resistor in series with ST  
GND  
connection, reverse load current limited by connected load.  
Semiconductor Group  
1
12.96  
1234567...13

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