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BSP762TXUMA1

更新时间: 2024-02-28 23:30:40
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英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 232K
描述
Smart High-Side Power Switch

BSP762TXUMA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01Factory Lead Time:10 weeks 5 days
风险等级:1.58Is Samacsys:N
内置保护:TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:5 mm湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
输出电流流向:SINK标称输出峰值电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED座面最大高度:1.75 mm
最大供电电压:34 V最小供电电压:5 V
标称供电电压:13.5 V表面贴装:YES
技术:MOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED断开时间:230 µs
接通时间:170 µs宽度:4 mm
Base Number Matches:1

BSP762TXUMA1 数据手册

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Smart High-Side Power Switch  
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AEC qualified  
Green product (RoHS compliant)  
PG-DSO8  
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General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input,  
monolithically integrated in Smart SIPMOS technology.  
Providing embedded protective functions.  
Data Sheet  
1
V1.1, 2007-05-29  

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