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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 1000 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.2 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-D17 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 17 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 300 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 40 ns | 标称接通时间 (ton)： | 30 ns |
| VCEsat-Max： | 3.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BSM25GD120D | ETC | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
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| BSM25GD120D2 | INFINEON | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
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| BSM25GD120DLCE3224 | EUPEC | IGBT-Module |
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| BSM25GD120DN1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-17 |
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| BSM25GD120DN2 | EUPEC | IGBT Power Module |
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| BSM25GD120DN2E3224 | EUPEC | IGBT Power Module |
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