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AIKW50N65DF5XKSA1

更新时间： 2024-02-23 12:14:01

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
16页	1915K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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技术参数
数据手册

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AIKW50N65DF5XKSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	39 weeks
风险等级：	2.14	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

AIKW50N65DF5XKSA1 数据手册

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AIKW50N65DF5

Highꢀspeedꢀswitchingꢀseriesꢀfifthꢀgeneration

HighꢀspeedꢀfastꢀIGBTꢀinꢀTRENCHSTOP^TMꢀ5ꢀtechnologyꢀcopackedꢀwith

RAPIDꢀ1ꢀfastꢀandꢀsoftꢀantiparallelꢀdiode

ꢀ

FeaturesꢀandꢀBenefits:

ꢀꢀꢀHighꢀspeedꢀF5ꢀtechnologyꢀoffering:

•ꢀꢀBest-in-Classꢀefficiencyꢀinꢀhardꢀswitchingꢀandꢀresonant

ꢀꢀꢀtopologies

•ꢀꢀ650Vꢀbreakdownꢀvoltage

•ꢀꢀLowꢀgateꢀchargeꢀQ_G

•ꢀꢀIGBTꢀcopackedꢀwithꢀRAPIDꢀ1ꢀfastꢀandꢀsoftꢀantiparallelꢀdiode

•ꢀꢀMaximumꢀjunctionꢀtemperatureꢀ175°C

•ꢀꢀDynamicallyꢀstressꢀtested

•ꢀꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀAEC-Q101

•ꢀꢀGreenꢀpackageꢀ(RoHSꢀcompliant)

•ꢀꢀCompleteꢀproductꢀspectrumꢀandꢀPSpiceꢀModels:

ꢀꢀꢀhttp://www.infineon.com/igbt/

Applications:

•ꢀꢀOff-boardꢀcharger

•ꢀꢀOn-boardꢀcharger

•ꢀꢀDC/DCꢀconverter

•ꢀꢀPower-Factorꢀcorrection

Packageꢀpinꢀdefinition:

•ꢀꢀPinꢀ1ꢀ-ꢀgate

•ꢀꢀPinꢀ2ꢀ&ꢀbacksideꢀ-ꢀcollector

•ꢀꢀPinꢀ3ꢀ-ꢀemitter

KeyꢀPerformanceꢀandꢀPackageꢀParameters

Type

V_CE

I_C

V_CEsat,ꢀT_vj=25°C T_vjmax

1.66V 175°C

Marking

Package

PG-TO247-3

AIKW50N65DF5

650V

50A

AK50EDF5

Datasheet

www.infineon.com

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ2.1

2017-06-30

12 3 4 5 6 7...16

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