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5961-99-801-1096

更新时间： 2024-01-22 17:07:37
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
6页 390K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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5961-99-801-1096 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.25 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：15 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
Base Number Matches：1

5961-99-801-1096 数据手册

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