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56DN06

更新时间： 2024-02-27 00:13:52

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管
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描述
Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

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56DN06 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.15 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	70000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	180 °C	最大输出电流：	6400 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

56DN06 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

56DN06

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

600 V

10050 A

6400 A

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

T_C= 126 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

81000 A

70000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

I²t

32800 10³A²s

24500 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 10 kA

v_F

max.

1,15 V

0,7 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

mΩ

0,04

4,617E-01

2,002E-05

7,441E-03

4,190E-03

2000 A ≤ i_F≤ 32000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

100 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

max. 0,0062 °C/W

max. 0,0055 °C/W

thermal resistance, junction to case

Thermische_beE_idsi_eg_itige_{/ t}n_wos_-sic_deh_{d, D}a_Cften

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

0,0025

180

°C/W

°C

max.

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

Seite 2

page 2

case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

Gewicht

weight

40...60

110

typ.

50 m/s²

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

prepared by: H.Sandmann

approved by: M.Leifeld

date of publication: 2011-02-17

revision: 3.0

Seite/page

IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann

A 05/11

1/7

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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