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56DN02

更新时间： 2024-02-27 01:51:14

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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11页	126K
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6400A, 200V V(RRM), Silicon,

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56DN02 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.15 V	JESD-30 代码：	O-XEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	81000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	180 °C	最大输出电流：	6400 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

56DN02 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

56 DN 02...06

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Vorläufige Daten

Preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak forward reverse voltage

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_RRM

200

400

600

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

250

450

650

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

10050

6400

Dauergrenzstrom

T_C= 126 °C

mean forward current

Stoßstrom-Grenzwert

surge foward current

T_vj= 25°C, tp = 10 ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10 ms

81000

70000

A²s*10³

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, tp = 10ms

T_vj= T_{vj max}, tp = 10ms

I²t

32.800

24.500

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

forward voltage

T_vj= T_{vj max}

i_F= 10 kA

v_F

max.

1,15

0,7

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

Ersatzwiderstand

r_T

0,04

forward slope resistance

T_vj= T_{vj max}

T_vj= 25 °C

Durchlaßkennlinie

on-state voltage

4,1720E-01

2,0017E-05

7,4408E-03

4,1902E-03

0,79326

1,6157E-05

-8,0905E-03

3,9268E-03

v_T= A + B ×i_T+ C × Ln(i_T+ 1) + D × i_T

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}

v_R= V_RRM

i_R

max.

100

reverse current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

beidseitig / two-sided,Q=180°sin

thermal resitance, junction to case

max.

0,0062

0,0055

0,0107

0,0100

0,0127

0,0121

°C/W

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, Q =180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, Q =180°sin

Kathode / cathode, DC

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

R_thCK

thermal resitance, case to heatsink

max.

0,0025

0,005

°C/W

einseitig / single-sided

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

max. junction temperature

T_{vj max}

180

°C

Betriebstemperatur

T_{c op}

T_stg

-40...+180

°C

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

SZ-M / 11.11.98 K.-A.Rüther

A119/98

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