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46DN06ELEMXPSA1

更新时间： 2024-02-20 14:17:41

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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7页	180K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6400A, 600V V(RRM), Silicon,

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46DN06ELEMXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.66
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.15 V	JESD-30 代码：	O-XXSS-X2
最大非重复峰值正向电流：	70000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	180 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	6400 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	SPECIAL SHAPE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	100000 µA	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

46DN06ELEMXPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

46DN06

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

600 V

8000 A

5100 A

T_vj= -25°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

T_C= 118 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

60000 A

52000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= Tvj max, t_P= 10 ms

I²t

18000 10³A²s

13500 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 14 kA

T_vj= T_{vj max}

v_F

max.

1,36 V

0,7 V

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

mΩ

0,047

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

6,334E-01

7,077E-06

-2,820E-02

7,553E-03

Durchlaßkennlinie

2000 A ≤ i_F≤ 26000 A

on-state characteristic

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

60 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

max. 0,0094 °C/W

max. 0,0088 °C/W

thermal resistance, junction to case

Thermische_beE_idsi_eg_itige_{/ t}n_wos_-sic_deh_{d, D}a_Cften

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

0,003

180

°C/W

°C

max.

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

Seite 2

page 2

case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

Gewicht

weight

30...45

102

typ.

50 m/s²

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

prepared by: H.Sandmann

approved by: M.Leifeld

date of publication: 2011-02-17

revision: 3.0

A 04/11

Seite/page

1/7

IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann

12 3 4 5 6 7

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