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2N7618M1

更新时间： 2024-02-03 06:41:22
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 207K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.07A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14

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2N7618M1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.07 A最大漏极电流 (ID)：1.07 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-036AB
JESD-30 代码：R-CDIP-T14湿度敏感等级：1
元件数量：4端子数量：14
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7618M1 数据手册

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PRELIMINARY  
PD-95865B  
2N7618M1  
IRHLG770Z4  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
THRU-HOLE (MO-036AB)  
60V, Quad N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHLG770Z4 100K Rads (Si)  
IRHLG730Z4 300K Rads (Si)  
0.6Ω 1.07A  
0.6Ω 1.07A  
MO-036AB  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power  
MOSFETs provide simple solution to interfacing  
CMOS and TTL control circuits to power devices in  
space and other radiation environments. The  
threshold voltage remains within acceptable operating  
limits over the full operating temperature and post  
radiation. This is achieved while maintaining single  
event gate rupture and single event burnout immunity.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
These devices are used in applications such as  
current boost low signal source in PWM, voltage  
comparator and operational amplifiers.  
Light Weight  
Complimentary P-Channel Available -  
IRHLG7970Z4  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
1.07  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 4.5V, T = 100°C Continuous Drain Current  
0.67  
4.28  
1.0  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
0.01  
±10  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
13  
mJ  
A
AS  
I
1.07  
0.1  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
7.0  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.63 in./1.6 mm from case for 10s)  
1.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/01/11  
1234567...9

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