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2N7614M1

更新时间： 2024-01-06 22:56:56
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-14

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2N7614M1 技术参数

生命周期：Active包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：50.4 mJ
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：0.8 A最大漏源导通电阻：1.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-036AB
JESD-30 代码：R-PDIP-T14元件数量：4
端子数量：14工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：3.2 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7614M1 数据手册

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PD-97339  
2N7614M1  
RADIATION HARDENED  
IRHLG77214  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
THRU-HOLE (MO-036AB)  
250V, Quad N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHLG77214  
IRHLG73214  
100K Rads (Si) 1.1Ω  
300K Rads (Si) 1.1Ω  
0.8A  
0.8A  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs  
provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control  
circuits to power devices in space and other radiation  
environments.The threshold voltage remains within  
acceptable operating limits over the full operating  
temperature and post radiation.This is achieved while  
maintaining single event gate rupture and single event  
burnout immunity.  
MO-036AB  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
The device is ideal when used to interface directly with most  
logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other device  
types that operate from a 3.3-5V source. It may also be  
used to increase the output current of a PWM, voltage  
comparator or an operational amplifier where the logic level  
drive signal is available.  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
0.8  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 4.5V, T = 100°C Continuous Drain Current  
0.5  
3.2  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
1.4  
W
W/°C  
V
D
C
0.01  
±10  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
50.4  
0.8  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
0.14  
12.3  
-55 to 150  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in/1.6mm from case for 10s)  
1.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/25/11  
1234567...9

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