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2N7604U2

更新时间： 2024-02-07 16:51:36

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	193K
描述
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN

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2N7604U2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	402 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	56 A	最大漏极电流 (ID)：	56 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	224 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7604U2 数据手册

PRELIMINARY

PD-97177B

2N7604U2

RADIATION HARDENED

IRHLNA77064

LOGIC LEVEL POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-2)

60V, N-CHANNEL

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

IRHLNA77064

IRHLNA73064

Radiation Level RDS(on)

56A*

100K Rads (Si)

300K Rads (Si)

0.012Ω

SMD-2

Features:

International Rectifier’s R7_TMLogic Level Power

MOSFETs provide simple solution to interfacing CMOS

and TTL control circuits to power devices in space and

other radiation environments. The threshold voltage

remains within acceptable operating limits over the

full operating temperature and post radiation. This is

achieved while maintaining single event gate rupture

and single event burnout immunity.

5V CMOS and TTL Compatible

Fast Switching

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low Total Gate Charge

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Ceramic Package

Surface Mount

These devices are used in applications such as current

boost low signal source in PWM, voltage comparator

and operational amplifiers.

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

= 4.5V,T = 25°C

Continuous Drain Current

56*

= 4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current À

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

224

@ T = 25°C

250

W/°C

2.0

±10

402

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

V/ns

dv/dt

6.9

-55 to 150

°C

Storage Temperature Range

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

STG

300 (for 5s)

3.3 (Typical)

* Current is limited by package

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

03/01/11

12 3 4 5 6 7...9

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与2N7604U2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7607T3	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
2N7608T2	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7609U8	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
2N760A	CENTRAL	Small Signal Transistors	获取价格
2N760ALEADFREE	CENTRAL	暂无描述	获取价格
2N760B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-18	获取价格

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