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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-267AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.09 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 34 A | 最大漏源导通电阻： | 0.132 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-267AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7269 | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7269D | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N7269U | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2N7269UPBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N726LEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| 2N727 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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