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2N7002DWL6327

更新时间： 2024-02-27 19:11:52

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	194K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

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技术参数
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2N7002DWL6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	3 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002DWL6327 数据手册

2N7002DW

OptiMOS^™Small-Signal-Transistor

Features

Product Summary

V _DS

• Dual N-channel

R _DS(on),max

V _GS=10 V

V _GS=4.5 V

• Enhancement mode

• Logic level

• Avalanche rated

I _D

0.3

• Fast switching

• Qualified according to AEC Q101

PG-SOT363

• 100% lead-free; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Tape and Reel Information

Marking

HalogenFree Packing

Yes Non Dry

2N7002DW PG-SOT363 H6327: 3000 pcs/reel

X8s

Parameter ¹⁾

Value

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

Continuous drain current

0.30

0.24

I _D,pulse

T _A=25 °C

Pulsed drain current

1.2

1.3

E _AS

I _D=0.3 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=0.3 A, V _DS=48 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=150 °C

V _GS

Gate source voltage

±20

ESD class

JESD22-A114 (HBM)

class 0 (<250V)

0.5

P _tot

T _A=25 °C

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

-55 ... 150

55/150/56

°C

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾Remark: one of both transistors in operation.

Rev.2.2

page 1

2011-06-16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N7002DWQ	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002DW-Q	UTC	N-CH	获取价格
2N7002DWQ-13-F	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002DWQ-7-F	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7002DWS	DIODES	60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格