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2N6849EB

更新时间: 2024-01-09 10:27:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

2N6849EB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6849EB 数据手册

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