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2N6849EA

更新时间: 2024-02-01 12:57:29
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英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

2N6849EA 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏源导通电阻:0.3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AFJESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:CECC表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N6849EA 数据手册

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