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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220SM | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6800 | SEME-LAB | N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6800 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6800 | INFINEON | 400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6800 with Hermetic Packagi |
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| 2N6800_01 | SEME-LAB | N–CHANNEL ENHANCE-MENT POWER MOSFET |
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| 2N6800E | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| 2N6800EA | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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