5秒后页面跳转
2N6798SCC5205/019 PDF预览

2N6798SCC5205/019

更新时间: 2024-02-04 02:34:09
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

2N6798SCC5205/019 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.6配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏源导通电阻:0.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:EUROPEAN SPACE AGENCY表面贴装:NO
端子面层:NOT SPECIFIED端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N6798SCC5205/019 数据手册

 浏览型号2N6798SCC5205/019的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6798SCC5205/019的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N6798SCC5205/019的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N6798SCC5205/019的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N6798SCC5205/019的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N6798SCC5205/019的Datasheet PDF文件第7页 

与2N6798SCC5205/019相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N6798TX RENESAS 5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

获取价格

2N6798TXV RENESAS 5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

获取价格

2N6798TXV FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格

2N6798U MICROSEMI N-CHANNEL MOSFET

获取价格

2N6799 INFINEON Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

获取价格

2N6800 SEME-LAB N-CHANNEL POWER MOSFET

获取价格