是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.6 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-205AF |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | EUROPEAN SPACE AGENCY | 表面贴装: | NO |
端子面层: | NOT SPECIFIED | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6798TX | RENESAS | 5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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2N6798TXV | RENESAS | 5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
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2N6798TXV | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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2N6798U | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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2N6799 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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2N6800 | SEME-LAB | N-CHANNEL POWER MOSFET |
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