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2N6798EB

更新时间: 2024-02-11 17:59:45
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英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

2N6798EB 数据手册

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