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2N6793

更新时间: 2024-01-26 18:23:25
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1页 99K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

2N6793 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:450 V
最大漏极电流 (ID):1.5 A最大漏源导通电阻:4.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-CDSO-N3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6793 数据手册

  

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