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2N6789

更新时间: 2024-02-18 12:20:34
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1页 99K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

2N6789 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220SM包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.75
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (ID):3.5 A最大漏源导通电阻:0.8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-CDSO-N3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N6789 数据手册

  

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