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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | EUROPEAN SPACE AGENCY | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6766SCC5205/013PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| 2N6766T1 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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| 2N6766T1E3 | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2N6766TXV | MICROSEMI | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 2N6767 | NJSEMI | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE |
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| 2N6767 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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