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1EDN8511B

更新时间： 2024-01-10 04:41:06

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英飞凌 - INFINEON		驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数	文件大小	规格书
28页	1041K
描述
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PDSO6, SOT-23, 6 PIN

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技术参数
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1EDN8511B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOT-23, 6 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.75
高边驱动器：	NO	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	长度：	2.9 mm
功能数量：	1	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	1.45 mm
最大供电电压：	20 V	最小供电电压：	4.5 V
标称供电电压：	12 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.95 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
断开时间：	0.025 µs	接通时间：	0.025 µs
宽度：	1.6 mm	Base Number Matches：	1

1EDN8511B 数据手册

EiceDRIVER™

1EDN751x/1EDN851x

Features

Fast, Precise, Strong and Compatible

•

5 ns slew rate to support high speed Superjunction MOSFET (like CoolMos™ C7) or GaN devices

19 ns propagation delay precision for fast MOSFET and GaN switching

8 A sink and 4 A source driver capability enables fast switching for very high efficiency applications and

powers low ohmic MOSFET

•

Industry standard packages and pinout ease system-design upgrades

The New Reference in Ruggedness

•

4.2 V and 8 V UVLO (Under Voltage Lock Out) options ensure instant MOSFET protection under abnormal

conditions

-10 V input voltage capability delivers robustness and crucial safety margin when device is driven from pulse-

transformers

5 A reverse current robustness eliminates the need for output protection circuitry

Applications

•

Server SMPS (Switch Mode Power Supplies)

TeleCom SMPS

DC-to-DC Converter

Bricks

Power Tools

Industrial SMPS

Motor Control

Example Topologies

•

Synchronous Rectification

Power Factor Correction PFC (DCM, CCM)

LLC, ZVS in combination with pulse transformer for isolation

Description

The 1EDN7x/1EDN8x is an advanced single-channel driver. It is suited to drive logic and normal level MOSFETs

and supports OptiMOS^TM, CoolMOS^TM, Standard Level MOSFETs, Superjunction MOSFETs, as well as IGBTs and

GaN Power devices.

Data Sheet

www.infineon.com/1EDN

Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document

Rev. 2.0

2016-10-28

12 3 4 5 6 7...28

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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